搜索
发布采购
NTMFS002P03P8ZT1G
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMFS002P03P8ZT1G
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
NTMFS002P03P8ZT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
onsemi
-
-
21+ -
1485000
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
ORSEMI/安森美
-
DFN5 5x6, 1.27P (SO8FL)
22+ -
669522
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
NTMFS002P03P8ZT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货1,500Factory
- 价格：1 : ￥25.76000剪切带（CT）1,500 : ￥13.59915卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40.2A（Ta），263A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 毫欧 @ 23A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：217 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14950 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.3W（Ta），138.9W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线