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NTMFD6H852NLT1G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMFD6H852NLT1G
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N-CH 80V 8DFN
NTMFD6H852NLT1G 供应商
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21+ -
10275
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上海市
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NTMFD6H852NLT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1,500 : ￥5.53393卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：-
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：295mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：26pF @ 20V
- 功率 - 最大值：250mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）