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NTMFD6H846NLT1G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMFD6H846NLT1G
FET、MOSFET 阵列产品简介：DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V,
NTMFD6H846NLT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ORSEMI/安森美
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SO-8FL Dual/DFN-8
22+ -
669520
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上海市
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原装可开发票
NTMFD6H846NLT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：1,480现货
- 价格：1 : ￥13.20000剪切带（CT）1,500 : ￥6.47117卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9，4A（Ta），31A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 21μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：900pF @ 40V
- 功率 - 最大值：3，2W（Ta），34W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）