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NTMFD5C466NLT1G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMFD5C466NLT1G
FET、MOSFET 阵列产品简介：T6 40V LL S08FL DS
NTMFD5C466NLT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ORSEMI/安森美
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SO-8FL Dual/DFN-8
22+ -
669514
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上海市
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原装可开发票
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ONSemiconductor
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8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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ON
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DFN8
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
NTMFD5C466NLT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥24.88000剪切带（CT）1,500 : ￥13.12609卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），52A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.4 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 30μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：997pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3W（Ta），40W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）