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NTMFD4902NFT3G-S
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMFD4902NFT3G-S
FET、MOSFET 阵列产品简介：NTMFD4902NFT3G-S
NTMFD4902NFT3G-S 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（双），肖特基
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.3A（Ta），13.3A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 10A，10V，4.1 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.1nC @ 10V，24.9nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1150pF @ 15V，1590pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.1W（Ta），1.16W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）