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NTMFD2D4N03P8
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMFD2D4N03P8
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 8PQFN
NTMFD2D4N03P8 供应商
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onsemi
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21+ -
63000
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上海市
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一级代理原装
NTMFD2D4N03P8 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货366,000Factory
- 价格：1 : ￥11.21000剪切带（CT）3,000 : ￥4.76390卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA，3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10V，55nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1715pF @ 15V，3825pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1W（Ta），23W（Tc），1.1W（Ta），25W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：8-PQFN（5x6）