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NTMFD1D6N03P8
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMFD1D6N03P8
FET、MOSFET 阵列产品简介：PT8 N-CH DUAL 30V
NTMFD1D6N03P8 中文资料属性参数
- 现有数量：3,000现货1,665,000Factory
- 价格：1 : ￥13.08000剪切带（CT）3,000 : ￥6.00301卷带（TR）
- 系列：PowerTrench?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：-
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA，3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：8-PQFN（5x6）