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NTMFD0D9N02P1E
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMFD0D9N02P1E
FET、MOSFET 阵列产品简介：PT11N 30/12 & PT11N 30/12
NTMFD0D9N02P1E 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Onsemi
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PQFN-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ORSEMI/安森美
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PQFN-8
22+ -
669508
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上海市
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-
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原装可开发票
NTMFD0D9N02P1E 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V，25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），30A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V，0.72 毫欧 @ 41A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 340μA，2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9nC，30nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1400pF @ 15V，5050pF @ 13V
- 功率 - 最大值：960mW（Ta），1.04W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：8-PQFN（5x6）