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NTMC083NP10M5L
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMC083NP10M5L
FET、MOSFET 阵列产品简介：NTMC083NP10M5L
NTMC083NP10M5L 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Onsemi
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SOIC-8
23+ -
2000
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上海市
-
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-
全新原厂原装上海仓现货
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ORSEMI/安森美
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SOIC-8
22+ -
669498
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上海市
-
-
-
原装可开发票
NTMC083NP10M5L 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥8.03000剪切带（CT）2,500 : ￥3.40717卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.9A（Ta），4.1A（Tc），2.4A（Ta），3.3A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：83 毫欧 @ 1.5A，10V，131 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 10V，8.4nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：222pF @ 50V，525pF @ 50V
- 功率 - 最大值：1.6W（Ta），3.1W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC