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NTLJS3D0N02P8ZTAG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTLJS3D0N02P8ZTAG
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
NTLJS3D0N02P8ZTAG 中文资料属性参数
- 现有数量：4,212现货
- 价格：1 : ￥6.92000剪切带（CT）3,000 : ￥2.94941卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.1A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.8mOhm @ 10A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2165 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：860mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
- 封装/外壳：6-PowerWDFN