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NTH4L022N120M3S
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTH4L022N120M3S
单 FET，MOSFET产品简介：SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
NTH4L022N120M3S 供应商
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Onsemi
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TO-247-4
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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isc/固电半导体
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TO-247-4L
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
NTH4L022N120M3S 中文资料属性参数
- 现有数量：9现货
- 价格：1 : ￥229.91000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：68A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 40A， 18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 20mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：151 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）：+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3175 pF @ 800 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：352W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247-4L
- 封装/外壳：TO-247-4