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NTBGS1D5N06C
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTBGS1D5N06C
单 FET，MOSFET产品简介：POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
NTBGS1D5N06C 供应商
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Onsemi
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D2PAK7 (TO-263-7LD) 15.4x9.9x4.5
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ORSEMI/安森美
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D2PAK7 (TO-263-7LD) 15.4x9.9x4.5
22+ -
669349
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上海市
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原装可开发票
NTBGS1D5N06C 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥49.13000剪切带（CT）800 : ￥30.77079卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），267A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，12V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.55 毫欧 @ 64A，12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 318μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：78.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6250 pF @ 30 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），211W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：D2PAK（TO-263）
- 封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）