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NP60N06PDK-E1-AY
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NP60N06PDK-E1-AY
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET TRANSISTOR MORE 1 W
NP60N06PDK-E1-AY 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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RENESAS/ELNAF
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TO-263
1901+ -
750
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
NP60N06PDK-E1-AY 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：2,400 : ￥8.05630卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3600 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：105W
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TO-263-3
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB