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NP35N04YLG-E1-AY
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NP35N04YLG-E1-AY
单 FET，MOSFET产品简介：ABU / MOSFET
NP35N04YLG-E1-AY 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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RENESAS
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HSON
23+ -
680
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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RENESAS/ELNAF
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QFN
1915+ -
12500
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
NP35N04YLG-E1-AY 中文资料属性参数
- 现有数量：2,480现货
- 价格：1 : ￥12.96000剪切带（CT）2,500 : ￥5.50426卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9，7 毫欧 @ 17，5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：51 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2850 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1W（Ta），77W（Tc）
- 工作温度：175°C
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-HSON（5x5.4）
- 封装/外壳：8-PowerLDFN