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NE3516S02-T1C-A
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NE3516S02-T1C-A
RF FET，MOSFET产品简介：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
NE3516S02-T1C-A 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
CEL
-
S02
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NE3516S02-T1C-A 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：GaAs HJ-FET
- 配置：N 通道
- 频率：12GHz
- 增益：14dB
- 电压 - 测试：2 V
- 额定电流（安培）：60mA
- 噪声系数：0.35dB
- 电流 - 测试：10 mA
- 功率 - 输出：165mW
- 电压 - 额定：4 V
- 安装类型：-
- 封装/外壳：4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：S02