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MTI200WX75GD-SMD
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
MTI200WX75GD-SMD
FET、MOSFET 阵列产品简介：IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
MTI200WX75GD-SMD 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货832Factory查看交期
- 价格：13 : ￥303.22154管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：6 N-沟道（3 相桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：75V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：255A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.3 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 275μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：155nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14400pF @ 38V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：ISOPLUS-DIL?
- 供应商器件封装：ISOPLUS-DIL?