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MSCSM120DAM31CTBL1NG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
MSCSM120DAM31CTBL1NG
单 FET，MOSFET产品简介：PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
MSCSM120DAM31CTBL1NG 中文资料属性参数
- 现有数量：7现货
- 价格：1 : ￥945.48000散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：79A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：31 毫欧 @ 40A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：232 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）：+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3020 pF @ 1000 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：310W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 供应商器件封装：-
- 封装/外壳：模块