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MSCM20XM10T3XG
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
MSCM20XM10T3XG
FET、MOSFET 阵列产品简介：PM-MOSFET-OTHER-SP3X
MSCM20XM10T3XG 供应商
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MSCM20XM10T3XG 中文资料属性参数
- 现有数量：11现货
- 价格：1 : ￥2,044.56000散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：6 N-沟道（3 相桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：200V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：108A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.7 毫欧 @ 81A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：161nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10700pF @ 50V
- 功率 - 最大值：341W（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（Tc）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：SP3X