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MCMN2012-TP
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
MCMN2012-TP
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 20V 12A DFN2020-6J
MCMN2012-TP 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 9.7A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：32 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1800 pF @ 4 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DFN2020-6J
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
MCMN2012-TP 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MCMN2012-TP
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MOSFET N-CH 20V 12A DFN202 |
4页,612K | 查看 |