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MCH6663-TL-W
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
MCH6663-TL-W
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6
MCH6663-TL-W 供应商
- 公司
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- 封装/批号
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- 说明
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ON/安森美
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SMD
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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ON/ELNAF
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SOT363
1906+ -
5400
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
MCH6663-TL-W 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A，1.5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：188 毫欧 @ 900mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：88pF @ 10V
- 功率 - 最大值：800mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：SC-88FL/MCPH6