MCB60I1200TZ-TUB
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
MCB60I1200TZ-TUB
单 FET,MOSFET产品简介:SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
MCB60I1200TZ-TUB 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:30 : ¥882.77300管件
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss):1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):34 毫欧 @ 50A,20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 15mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):160 nC @ 20 V
- Vgs(最大值):+20V,-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2790 pF @ 1000 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-268AA(D3Pak-HV)
- 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

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