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MCB30P1200LB-TRR
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
MCB30P1200LB-TRR
FET、MOSFET 阵列产品简介：MCB30P1200LB-TRR
MCB30P1200LB-TRR 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：200 : ￥1,081.24320卷带（TR）
- 系列：MCB30P1200LB
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：4 N 沟道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：9-PowerSMD
- 供应商器件封装：9-SMPD-B