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LP1030DK1-G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
LP1030DK1-G
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5
LP1030DK1-G 供应商
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Microchip Technology
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标准封装
23+ -
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全新原装现货直销
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Microchip Technology
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上海市
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LP1030DK1-G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：300V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：180 欧姆 @ 20mA，7V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10.8pF @ 25V
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-25°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SC-74A，SOT-753
- 供应商器件封装：SOT-23-5