搜索
发布采购
LN100LA-G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
LN100LA-G
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 1200V
LN100LA-G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Microchip Technology
-
标准封装
23+ -
1051
-
苏州
-
-
-
全新原装现货直销
-
Microchip Technology
-
标准封装
23+ -
1051
-
上海市
-
-
-
全新原装现货直销
LN100LA-G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-沟道（级联）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3000 欧姆 @ 2mA，2.8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 10μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
- 功率 - 最大值：350mW
- 工作温度：-25°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-VFLGA
- 供应商器件封装：6-LFGA（3x3）