IXTX5N250
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
IXTX5N250
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3
IXTX5N250 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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PLUS247
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc,33年国产工厂
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IXYS
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PLUS247?-3
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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IXYS
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
IXTX5N250 中文资料属性参数
- 现有数量:30现货
- 价格:1 : ¥1,011.70000管件
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):2500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.8 欧姆 @ 2.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):200 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8560 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):960W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:PLUS247?-3
- 封装/外壳:TO-247-3 变式