IXTT1N450HV
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
IXTT1N450HV
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
IXTT1N450HV 供应商
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IXYS
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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MODULE
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宣城
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IXTT1N450HV 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥411.57000管件
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):4500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):85 欧姆 @ 50mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1730 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):520W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-268AA
- 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
IXTT1N450HV 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 |
5页,207K | 查看 |