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IXTQ60N10T
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IXTQ60N10T
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 100V 60A TO3P
IXTQ60N10T 供应商
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isc/固电半导体
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TO-3PN
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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IXYS
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
IXTQ60N10T 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：30 : ￥28.66200管件
- 系列：Trench
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：49 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2650 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：176W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-3P
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3