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IXTP8N65X2M
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXTP8N65X2M
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 650V 4A TO220
IXTP8N65X2M 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-220F
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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IXYS
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
IXTP8N65X2M 中文资料属性参数
- 现有数量：46现货4,400Factory
- 价格：1 : ￥24.41000管件
- 系列：Ultra X2
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：32W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220
- 封装/外壳：TO-220-3
IXTP8N65X2M 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IXTP8N65X2M
|
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220 |
5页,117K | 查看 |