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IXTA6N100D2-TRL
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXTA6N100D2-TRL
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
IXTA6N100D2-TRL 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：800 : ￥41.99566卷带（TR）
- 系列：Depletion
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 3A，0V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：95 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2650 pF @ 25 V
- FET 功能：耗尽模式
- 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TO-263（D2Pak）
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB