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IXTA3N120HV
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXTA3N120HV
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXTA3N120HV 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
IXYS
-
标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
IXTA3N120HV 中文资料属性参数
- 现有数量：290现货
- 价格：1 : ￥65.11000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：42 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1100 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：200W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TO-263HV
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
IXTA3N120HV 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IXTA3N120HV
|
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263 |
5页,139K | 查看 |