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IXTA10P15T
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IXTA10P15T
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 150V 10A TO263
IXTA10P15T 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
-
isc/固电半导体
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D2PAK/TO-263
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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IXYS
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
IXTA10P15T 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：50 : ￥29.08400管件
- 系列：TrenchP?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：350 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2210 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：83W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TO-263（D2Pak）
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB