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IXRFSM12N100
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXRFSM12N100
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 1000V 12A 16SMPD
IXRFSM12N100 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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IXYS-RF
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16-SMPD
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IXRFSM12N100 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：SMPD
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.05 欧姆 @ 6A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：77 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2875 pF @ 800 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：940W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：16-SMPD
- 封装/外壳：16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘