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IXFZ140N25T
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IXFZ140N25T
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 250V 100A DE475
IXFZ140N25T 供应商
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IXYS
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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IXYS
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DE475
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IXFZ140N25T 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：20 : ￥272.77300管件
- 系列：HiPerFET?, Trench
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：255 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：19000 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：445W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DE475
- 封装/外壳：6-SMD，扁平引线
IXFZ140N25T 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IXFZ140N25T
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MOSFET N-CH 250V 100A DE475 |
5页,148K | 查看 |