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IXFY36N20X3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXFY36N20X3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
IXFY36N20X3 中文资料属性参数
- 现有数量：24,571现货
- 价格：1 : ￥37.21000管件
- 系列：HiPerFET?, Ultra X3
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 500μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1425 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：176W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TO-252AA
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63