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IXFP7N60P3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IXFP7N60P3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
IXFP7N60P3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-220
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
IXFP7N60P3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：HiPerFET?, Polar3?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.15 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：705 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：180W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220-3
- 封装/外壳：TO-220-3