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IXFN70N100X
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXFN70N100X
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B
IXFN70N100X 供应商
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isc/固电半导体
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SOT-227
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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IXYS
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IXFN70N100X 中文资料属性参数
- 现有数量：76现货
- 价格：1 : ￥536.62000管件
- 系列：HiPerFET?, Ultra X
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：89 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：6V @ 8mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：350 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9150 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1200W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 供应商器件封装：SOT-227B
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC