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IXFN66N85X
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXFN66N85X
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
IXFN66N85X 供应商
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
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5000
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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艾赛斯
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全新原装
23+ -
999
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上海市
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现货
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isc/固电半导体
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SOT-227
2024+ -
1000
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无锡
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SOT-227B
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艾赛斯
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标准封装
22+ -
5000
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艾赛斯/IXYS
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888
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IXYS
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标准封装
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IXFN66N85X 中文资料属性参数
- 现有数量：655现货
- 价格：1 : ￥364.82000管件
- 系列：HiPerFET?, Ultra X
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：850 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：65A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 33A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 8mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：230 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8900 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：830W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 供应商器件封装：SOT-227B
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
IXFN66N85X 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IXFN66N85X
|
850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS |
5页,129K | 查看 |