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IXFN50N120SK
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXFN50N120SK
单 FET，MOSFET产品简介：SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
IXFN50N120SK 供应商
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IXFN50N120SK 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥644.90000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：48A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 40A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：115 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）：+20V，-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1895 pF @ 1000 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 供应商器件封装：SOT-227B
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC