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IXFN130N90SK
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXFN130N90SK
FET、MOSFET 阵列产品简介：SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
IXFN130N90SK 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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SOT-227
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
IXFN130N90SK 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：10 : ￥1,142.12300管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：900V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：-
- 工作温度：-
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装：SOT-227B