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IXFJ32N50
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXFJ32N50
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH TO-220
IXFJ32N50 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
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IXYS
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18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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isc/固电半导体
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TO-3P
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
IXFJ32N50 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 供应商器件封装：-
- 封装/外壳：-
IXFJ32N50 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IXFJ32N50Q
|
HiPerFET Power MOSFETs |
4 Pages页,91K | 查看 |