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IXFH220N06T3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXFH220N06T3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 220A TO247
IXFH220N06T3 供应商
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isc/固电半导体
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TO-247
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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IXYS
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标准封装
20+ -
666
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上海市
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IXYS
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标准封装
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8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
IXFH220N06T3 中文资料属性参数
- 现有数量：8现货
- 价格：1 : ￥49.69000管件
- 系列：HiperFET?, TrenchT3?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：220A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：136 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8500 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：440W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247
- 封装/外壳：TO-247-3
IXFH220N06T3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IXFH220N06T3
|
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE |
6页,242K | 查看 |