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IRL40B215
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRL40B215
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
IRL40B215 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
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Infineon
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TO-220-3
21+ -
6200
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上海市
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一级代理原装
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infineon
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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MOSFET
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Infineon
连可连代销V -
10
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上海市
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-
1
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INFINEON
-
TO220
2022+ -
1900
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上海市
-
-
-
原装现货
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INFINEON
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
IRL40B215 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：HEXFET?, StrongIRFET?
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 98A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 100μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：84 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5225 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：143W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220AB
- 封装/外壳：TO-220-3