IRFS7437TRLPBF
单 FET,MOSFET更新日期:2025-02-12
IRFS7437TRLPBF
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
IRFS7437TRLPBF 供应商
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IRFS7437TRLPBF
原装现货 -
INFINEON
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DDPaK
2208 -
24800
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北京市
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02-12
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原厂授权渠道,现货
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INFINEON
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D2PAK
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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INFINEON
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DDPaK
新批号 -
887000
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上海市
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原厂直发进口原装微信同步QQ893727827
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连可连代销V -
99
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上海市
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1
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Infineon
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21+/22+ -
1600
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上海市
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
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INFINEON
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to-397
23 -
2400
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杭州
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
IRFS7437TRLPBF 中文资料属性参数
- 现有数量:12,759现货
- 价格:1 : ¥16.85000剪切带(CT)800 : ¥9.97871卷带(TR)
- 系列:HEXFET?, StrongIRFET?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):195A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.8 毫欧 @ 100A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):225 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7330 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):230W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263AB
- 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB