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IRFHM8329TRPBF
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
IRFHM8329TRPBF
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
IRFHM8329TRPBF 供应商
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Infineon
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PQFN8
21+ -
480
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上海市
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一级代理原装
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InfineonTechnologies
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PQFN(3x3)
18+ -
4474
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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IRFHM8329TRPBF
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Infineon
连可连代销V -
50
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上海市
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1
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INFINEON
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PQFN 3.3X3.3 8L
2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
IRFHM8329TRPBF 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：HEXFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta），57A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.1 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 25μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1710 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.6W（Ta），33W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PQFN（3x3）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN