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IRFHM3911TRPBF
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRFHM3911TRPBF
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
IRFHM3911TRPBF 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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INFINEON
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PQFN 3.3X3.3 8L
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
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连可连代销V -
2517
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上海市
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1
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infenion
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2021+ -
28000
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苏州
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IRFHM3911TRPBF 中文资料属性参数
- 现有数量：35,965现货
- 价格：1 : ￥7.00000剪切带（CT）4,000 : ￥2.96015卷带（TR）
- 系列：HEXFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.2A（Ta），20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：115 毫欧 @ 6.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：760 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），29W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-PQFN（3x3）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN