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IRFH7185TRPBF
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRFH7185TRPBF
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
IRFH7185TRPBF 供应商
- 公司
- 型号
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- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
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Infineon Technologies Americas Corp.
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8-PQFN (5x6)
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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INFINEON
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PG-TDSON-8
2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
IRFH7185TRPBF 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：FASTIRFET?, HEXFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 150μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2320 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），160W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN