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IRFH4253DTRPBF
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
IRFH4253DTRPBF
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
IRFH4253DTRPBF 供应商
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- 型号
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- 封装/批号
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- 说明
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Infineon
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PG-TISON-8
21+ -
4000
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上海市
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一级代理原装
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IR原装
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QFN
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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InfineonTechnologies
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PQFN(5x6)
18+ -
7335
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
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INFINEON
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to-273
23 -
24000
-
杭州
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IRFH4253DTRPBF 中文资料属性参数
- 现有数量：6,574现货
- 价格：1 : ￥20.91000剪切带（CT）4,000 : ￥9.56399卷带（TR）
- 系列：HEXFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：64A，145A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.2 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1314pF @ 13V
- 功率 - 最大值：31W，50W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：PQFN（5x6）