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IRFD113PBF
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRFD113PBF
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
IRFD113PBF 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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VishaySiliconix
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4-HVMDIP
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IRFD113PBF 中文资料属性参数
- 现有数量：2,500现货
- 价格：1 : ￥17.25000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：800mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：800 毫欧 @ 800mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：200 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：4-HVMDIP
- 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）