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IRF7904TRPBF-1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRF7904TRPBF-1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
IRF7904TRPBF-1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：HEXFET?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.6A，11A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16.2 毫欧 @ 7.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.25V @ 25μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：910pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.4W，2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO