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IRF7769L1TRPBF
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRF7769L1TRPBF
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
IRF7769L1TRPBF 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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INFINEON
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MG-WDSON-11
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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IRF
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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INFINEON
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1916 -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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InfineonTechnologies
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DIRECTFETL8
18+ -
19112
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
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INFINEON
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to-371
23 -
4000
-
杭州
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IRF7769L1TRPBF 中文资料属性参数
- 现有数量：10,831现货
- 价格：1 : ￥39.99000剪切带（CT）4,000 : ￥20.08249卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），124A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.5 毫欧 @ 74A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：300 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11560 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.3W（Ta），125W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DirectFET? 等距 L8
- 封装/外壳：DirectFET? 等距 L8